Więcej za mniej – nowe sposoby na zwiększenie pojemności, szybkości i bezawaryjnosci dysków SSD

Raporty analityków pokazują, że wraz z rosnącą popularnością tabletów i ultrabooków mocno rośnie zapotrzebowanie na dyski SSD. Szczerze mówiąc, nie trzeba prowadzić badań, albowiem wzrost ten jest wręcz widoczny gołym okiem.

Dlatego nie dziwią coraz to nowe pomysły producentów pamięci NAND na zapewnienie dużych ilości szybkich i tanich pamięci. Choć trwa proces miniaturyzacji, wraz z coraz większym zagęszczeniem komórek rośnie awaryjność. A winne temu jest oddziaływanie międzykomórkowe.

Samsung postanowił zaproponować (i wprowadzić do masowej produkcji) rozwiązanie pod nazwą V-NAND. W przeciwieństwie do tradycyjnych, dwuwymiarowych "płaskich" kości NAND, opracowana technologia pozwala na tworzenie trójwymiarowych, pionowych struktur. Co to daje? Samsung chwali się, że zmniejszono interferencję, co przełożyło się na dwa do dziesięciu razy większą niezawodność. Pionowe struktury, mogące liczyć do 24 warstw, mają też przełożyć się na możliwość zaproponowania pojemniejszych dysków. Już nie możemy się doczekać tabletów kolejnej generacji z pojemnymi dyskami, wykorzystujących te pomysły w praktyce.

Okazuje się jednak, że są jeszcze bardziej dalekosiężne plany. Firma Crossbar zaprezentowała pamięci, które nazwano Resitive RAM. Mają być produkowane w zupełnie nowy sposob, który pozwoli na stworzenie produktu o 20-krotnie większej energooszczędności i 10-krotnie zwiększonej wytrzymałości względem obecnie dostępnych kości NAND. Na powierzchni równej powierzchni znaczka pocztowego ma się mieścić 1 TB danych, a proces produkcji ma być tańszy niż w przypadku obecnie stosowanych pamięci. Na możliwość sprawdzenia, czy nie są to czcze przechwałki, będziemy musieli jednak poczekać przynajmniej 2-3 lata.

Ale dobrze wiedzieć, że rozwój technologii w dziedzinie pamięci masowych jeszcze nie dobrnął do martwego zaułka.

Źródło:engadget, neowin, Samsung, digitimes