Nowe generacja pamięci RAM od Samsunga

Firma Samsung dziś oficjalnie ogłosiła, że wprowadza do seryjnej produkcji pamięć RAM w litografii 10 nm. W ten sposób południowokoreański gigant wyprzedza konkurencję i staje się jedynym producentem, który może pochwalić się produkcją 8 GB pamięci RAM w tym procesie technologicznym.

 Zastosowanie litografii 10 nm skutkuje wyższą o 30% wydajnością energetyczną niż pamięci RAM produkowane w procesie technologicznym 20 nm. Możliwości transferu danych również wzrosną o 30%. Podczas gdy 20-nanometrowe kości przesyłają dane z prędkością 2400 Mb/s, nowa generacja pamięci RAM osiągać będzie prędkość transferu rzędu 3200 Mb/s, przy czym będzie mieć o ok. 10-20% mniejsze zapotrzebowanie na energię.

Interesujący jest fakt, że przy produkcji nowych podzespołów Samsung bazować będzie na dotychczasowych rozwiązaniach wykorzystywanych przy produkcji pamięci NAND w dyskach SSD, nie musząc w tym celu korzystać z technologii EUV (Extreme Ultraviolet).

Firma zaznacza, że to dopiero początek drogi związanej z 10-nanometrowym procesem technologicznym. W niedalekiej przyszłości producent planuje wprowadzenie takiej pamięci na urządzeniach mobilnych (głównie smartfonach z górnej półki cenowej), a także produkcję pamięci opartej o ten proces technologiczny w kościach o pojemności od 4 GB w notebookach do 128 GB w sektorze korporacyjnym - głównie serwerach.